Chiny Samochodowe moduły IGBT

• 

  4N-kanałowe tranzystory MOSFET z węglika krzemu MSCSM70TLM10C3AG Motoryzacyjne moduły IGBT 700 V

  Numer części:MSCSM70TLM10C3AG

  Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:430nC @ 20V

  Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:9000 pF przy 700 V

  Skontaktuj się teraz
• 

  Moduły samochodowe IGBT MSCDC100A120D1PAG Moduł Schottky'ego z węglika krzemu 1200V

  Numer części:MSCDC100A120D1PAG

  Konfiguracja diody:1 para połączenia szeregowego

  Całkowity ładunek pojemnościowy VR = 600V:448 nC (typowo)

  Skontaktuj się teraz
• 

  Moduły samochodowe IGBT MSCSM120TAM16CTPAG 728W Dyskretne moduły półprzewodnikowe

  Numer części:MSCSM120TAM16CTPAG

  Prąd upływu bramka-źródło:1μA

  Bramka napięcia progowego:2,8 V

  Skontaktuj się teraz
• 

  MSCSM120TAM11CTPAG Mosfet Array 1200V 251A moduł tranzystorów do montażu w obudowie

  Numer części:MSCSM120TAM11CTPAG

  Impulsowy prąd drenu:1600A

  Napięcie bramka-źródło:25V

  Skontaktuj się teraz
• 

  1700V 100A Dioda Schottky'ego z węglika krzemu MSCDC100A170D1PAG Moduły samochodowe IGBT

  Numer części:MSCDC100A170D1PAG

  Złącza zasilania:Złącza zasilania M5

  Napięcie:1700 V

  Skontaktuj się teraz
• 

  Moduły MSCDC100A70D1PAG Motoryzacyjne moduły IGBT 700V 100A Diodowy moduł zasilający

  Numer części:MSCDC100A70D1PAG

  Prędkość:Brak czasu regeneracji > 500mA (Io

  Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:1,8 V przy 100 A

  Skontaktuj się teraz
• 

  Motoryzacyjne moduły IGBT MSCSM70VM19C3AG Mosfet Array Tranzystory do montażu w obudowie

  Numer części:MSCSM70VM19C3AG

  Styl montażu:Mocowania śrubowe

  Vf — napięcie przewodzenia:1,5 V przy 50 A

  Skontaktuj się teraz
• 

  238A Tranzystory do montażu w obudowie MSCSM70VM10C4AG Samochodowe moduły IGBT

  Numer części:MSCSM70VM10C4AG

  Konfiguracja:2 kanały N (odnoga fazowa)

  Moc — maks:674 W (Tc)

  Skontaktuj się teraz
• 

  Motoryzacyjne moduły IGBT MSCDC150A170D1PAG 150A faza nogi SiC diody moduł zasilania

  Numer części:MSCDC150A170D1PAG

  Pakiet urządzeń dostawcy:D1P

  Produkt:Diodowy moduł mocy

  Skontaktuj się teraz
• 

  Motoryzacyjne moduły IGBT MSCSM120AM042CT6LIAG 495A Tranzystory do montażu w obudowie

  Numer części:MSCSM120AM042CT6LIAG

  Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:18100 pF przy 1 kV

  Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs:1392nC przy 20V

  Skontaktuj się teraz
• 

  200A faza Leg Diody SiC Moduł zasilania MSCDC200A120D1PAG Motoryzacyjne moduły IGBT

  Numer części:MSCDC200A120D1PAG

  Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli:1,8 V przy 200 A

  Prąd przewodzenia DC TC = 95 °C:200A

  Skontaktuj się teraz
• 

  Dyskretne moduły półprzewodnikowe MSCSM120AM042CT6AG Tranzystory do montażu w obudowie

  Numer części:MSCSM120AM042CT6AG

  Typ:Noga fazowa

  Id — ciągły prąd drenu:495 A

  Skontaktuj się teraz