Chiny Układ scalony układu scalonego

TO-247-3 MSC090SMA070B układ scalony 700V Tranzystory N-kanałowe SiCFET

Numer części:MSC090SMA070B

Polaryzacja tranzystora:Kanał N

Qg — Ładunek Bramy:38 nC
Układ scalony MSC080SMA120S N-kanałowy 1200 V 35A 182 W Tranzystory do montażu powierzchniowego

Numer części:MSC080SMA120S

Rds włączone:100 miliomów

Minimalna temperatura pracy:- 55 C
Układ scalony Chip MSC080SMA120B Tranzystory TO-247-3 przez otwór

Numer części:MSC080SMA120B

Napięcie przebicia dren-źródło:1,2 kV

Konfiguracja:pojedynczy
Tranzystory 1700 V MSC750SMA170B4 Tranzystory z kanałem N TO-247-4 Węglik krzemu

Numer części:MSC750SMA170B4

Technologia:SiCFET (węglik krzemu)

Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.):20V
1700 V N-kanałowy MOSFET mocy MSC750SMA170S układ scalony TO-268-3

Numer części:MSC750SMA170S

Liczba kanałów:1 kanał

Rds On — rezystancja drenu-źródła:750 megaomów
MSC040SMA120J N-kanałowy 1200 V 53A 208 W do montażu w obudowie Tranzystory SOT-227

Numer części:MSC040SMA120J

Rds On (Max) @ Id, Vgs:50mOhm @ 40A, 20V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:1990 pF przy 1000 V
Układ scalony MSC017SMA120B N-kanałowy MOSFET mocy z węglika krzemu TO-247-3

Numer części:MSC017SMA120B

Typ mocowania:Przez otwór

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:5280 pF przy 1000 V
Układ scalony MSC040SMA120S N-kanałowe tranzystory do montażu powierzchniowego

Numer części:MSC040SMA120S

temperatura robocza:-55°C ~ 175°C (TJ)

Id — ciągły prąd drenu:64 A
Układ scalony Chip MSC017SMA120S Pojedyncze tranzystory FET Tranzystory MOSFET TO-268-3

Numer części:MSC017SMA120S

Rozpraszanie mocy (maks.):357 W (Tc)

Pakiet urządzeń dostawcy:D3PAK
1200 V z węglika krzemu MSC017SMA120J N-kanałowy moduł MOSFET mocy SOT-227-4

Numer części:MSC017SMA120J

Minimalna temperatura pracy:- 55 C

Pd — rozpraszanie mocy:278 W
Tranzystory N-kanałowe MSC180SMA120S SiC MOSFET TO-268-3 Układ scalony

Numer części:MSC180SMA120S

Vgs (maks.):+23V, -10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs:225mOhm @ 8A, 20V
Układ scalony MSC025SMA120B N-kanałowe tranzystory z węglika krzemu

Numer części:MSC025SMA120B

Stan produktu:Aktywny

Typ FET:Kanał N

Page 1574 of 1578|< << 1569 1570 1571 1572 1573 1574 1575 1576 1577 1578 >> >|

Układ scalony układu scalonego

CYPD6227-96BZXI układ scalony z podwójnym portem USB Type-C Controller IC VFBGA96

MC33984CHFKR2 Układy układu zintegrowanego Chipy sterowniki obciążenia IC Przełączniki dystrybucji mocy

Chiny Układ scalony układu scalonego

TO-247-3 MSC090SMA070B układ scalony 700V Tranzystory N-kanałowe SiCFET

Układ scalony MSC080SMA120S N-kanałowy 1200 V 35A 182 W Tranzystory do montażu powierzchniowego

Układ scalony Chip MSC080SMA120B Tranzystory TO-247-3 przez otwór

Tranzystory 1700 V MSC750SMA170B4 Tranzystory z kanałem N TO-247-4 Węglik krzemu

1700 V N-kanałowy MOSFET mocy MSC750SMA170S układ scalony TO-268-3

MSC040SMA120J N-kanałowy 1200 V 53A 208 W do montażu w obudowie Tranzystory SOT-227

Układ scalony MSC017SMA120B N-kanałowy MOSFET mocy z węglika krzemu TO-247-3

Układ scalony MSC040SMA120S N-kanałowe tranzystory do montażu powierzchniowego

Układ scalony Chip MSC017SMA120S Pojedyncze tranzystory FET Tranzystory MOSFET TO-268-3

1200 V z węglika krzemu MSC017SMA120J N-kanałowy moduł MOSFET mocy SOT-227-4

Tranzystory N-kanałowe MSC180SMA120S SiC MOSFET TO-268-3 Układ scalony

Układ scalony MSC025SMA120B N-kanałowe tranzystory z węglika krzemu

Układ scalony układu scalonego

VN7008AJTR Układ scalony, sterownik wysokiej strony 96A, przełączniki wysokiej strony PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrated Circuit Chip iCMOSTM Switch 4,7 Ohm Przemysłowe przełączniki CMOS Analogiczne

LT6700CS6-1 układ zintegrowany chip mikroenergetyczny niskiego napięcia podwójny porównywarka z 400mV odniesienia

Układ scalony Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-przewód 6-port PCI Express Gen 2 Przełącznik PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-przewodowy 16-port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY nadajniki