Chip zintegrowanego obwodu STGW25M120DF3 1200V IGBT Trench Field Stop Transistors TO-247-3

Chip zintegrowanego obwodu STGW25M120DF3 1200V IGBT Trench Field Stop Transistors TO-247-3

Opis produktu STGW25M120DF3

STGW25M120DF3 to IGBT opracowany z wykorzystaniem zaawansowanej własnej struktury trench gate field-stop.które stanowią optymalną równowagę między wydajnością i wydajnością systemu falownika, w przypadku gdy funkcjonalność małych strat i zwarcia jest niezbędna.

Specyfikacja STGW25M120DF3

Charakterystyka STGW25M120DF3

• Maksymalna temperatura połączenia: TJ = 175 °C

• 10 μs czasu wytrzymania zwarcia

• Niskie VCE (sat) = 1,85 V (typowy) @ IC = 25 A

• Gęste rozkład parametrów

• Pozytywny współczynnik temperatury VCE (sat)

• Niska odporność termiczna

• Diody antyparallelne o miękkim i szybkim odzyskaniu

Zastosowania STGW25M120DF3

• Napędy przemysłowe

• UPS

• Elektrownia słoneczna

• Włókna

Pozostałe składniki elektroniczne na magazynie

Częste pytania
P. Czy twoje produkty są oryginalne?
A: Tak, wszystkie produkty są oryginalne, nowy oryginalny import jest naszym celem.
P: Jakie masz certyfikaty?
O: Jesteśmy firmą certyfikowaną zgodnie z normą ISO 9001:2015 i członkiem ERAI.
P: Czy wspieracie zamówienie w niewielkiej ilości lub próbkę?
O: Tak, wspieramy zamówienie próbki i małe zamówienie. Koszt próbki jest inny w zależności od zamówienia lub projektu.
P: Jak wysłać zamówienie?
Odp.: Używamy ekspresowej wysyłki, takiej jak DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Możemy również skorzystać z sugerowanego spedytorem.Produkty będą w dobrym opakowaniu i zapewnić bezpieczeństwo i jesteśmy odpowiedzialni za uszkodzenia produktu do zamówienia.
P: Co z czasem realizacji?
A: Możemy wysłać części na magazynie w ciągu 5 dni roboczych. Jeśli nie ma to na magazynie, potwierdzimy czas realizacji na podstawie ilości zamówienia.