1200V MOSFET SCTWA50N120 N-kanałowy MOSFET mocy z węglika krzemu przelotowy HiP247

1200V MOSFET SCTWA50N120 N-kanałowy MOSFET mocy z węglika krzemu przelotowy HiP247

Opis produktu SCTWA50N120

SCTWA50N120 MOSFET mocy z węglika krzemu 1200 V, 65 A, 59 mΩ (typ., TJ=150 °C) w obudowie z długimi przewodami HiP247™.

Specyfikacja SCTWA50N120

Cechy SCTWA50N120

• Bardzo mała zmienność rezystancji włączenia w funkcji temperatury
• Możliwość pracy w bardzo wysokich temperaturach roboczych (TJ = 200°C)
• Bardzo szybka i solidna dioda wewnętrzna
• Niska pojemność

Zastosowania SCTWA50N120

• Inwertery słoneczne, UPS
• Napędy silnikowe
• Przetwornice wysokiego napięcia DC-DC
• Zasilacze impulsowe

Inne typy produktów zaopatrzeniowych

Często zadawane pytania

P: Czy twoje produkty są oryginalne?
Odp .: Tak, wszystkie produkty są oryginalne, naszym celem jest nowy oryginalny import.
P: Jakie masz certyfikaty?
Odp.: Jesteśmy firmą posiadającą certyfikat ISO 9001:2015 i członkiem ERAI.
P: Czy możesz wesprzeć małe zamówienie lub próbkę? Czy próbka jest bezpłatna?
Odp .: Tak, obsługujemy zamówienie próbki i małe zamówienie. Przykładowy koszt różni się w zależności od zamówienia lub projektu.
P: jak wysłać moje zamówienie?Czy to jest bezpieczne?
Odp.: do wysyłki używamy przesyłek ekspresowych, takich jak DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Możemy również skorzystać z sugerowanego spedytora. Produkty będą dobrze zapakowane i zapewnią bezpieczeństwo, a my jesteśmy odpowiedzialni za uszkodzenie produktu w twoim zamówieniu.
P: A co z czasem realizacji?
Odp .: Możemy wysłać części magazynowe w ciągu 5 dni roboczych. Jeśli nie ma zapasów, potwierdzimy czas realizacji na podstawie ilości zamówienia.