Tranzystory 650 V IMBG65R083M1HXTMA1 MOSFET z węglika krzemu Pojedyncza rura TO-263-8

 Tranzystory 650 V IMBG65R083M1HXTMA1 MOSFET z węglika krzemu Pojedyncza rura TO-263-8

Opis produktu ZIMBG65R083M1HXTMA1

IMBG65R083M1HXTMA1 to pojedyncza rura MOSFET z węglika krzemu, w kompaktowej 7-pinowej obudowie SMD, zaprojektowana w celu poprawy wydajności systemu, zmniejszenia rozmiaru i zwiększenia niezawodności.

SpecyfikacjaIMBG65R083M1HXTMA1

CechyIMBG65R083M1HXTMA1

• Niski Qrr i Qoss
• Niskie straty przełączania
• Szybkie komutacyjne diody ciała
• Zaawansowana technologia rowków zapewniająca doskonałą niezawodność tlenku bramki
• Technologia połączeń XT zapewniająca doskonałą wydajność cieplną
• Zwiększona zdolność lawinowa
• Pakiet SMD do bezpośredniej integracji z PCB
• Kołki wyczuwające dla zoptymalizowanej wydajności przełączania

Inne komponenty elektroniczne w magazynie

Często zadawane pytania

P: Czy twoje produkty są oryginalne?
Odp .: Tak, wszystkie produkty są oryginalne, naszym celem jest nowy oryginalny import.
P: Jakie masz certyfikaty?
Odp.: Jesteśmy firmą posiadającą certyfikat ISO 9001:2015 i członkiem ERAI.
P: Czy możesz wesprzeć małe zamówienie lub próbkę? Czy próbka jest bezpłatna?
Odp .: Tak, obsługujemy zamówienie próbki i małe zamówienie. Przykładowy koszt różni się w zależności od zamówienia lub projektu.
P: jak wysłać moje zamówienie?Czy to jest bezpieczne?
Odp.: do wysyłki używamy przesyłek ekspresowych, takich jak DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Możemy również skorzystać z sugerowanego spedytora. Produkty będą dobrze zapakowane i zapewnią bezpieczeństwo, a my jesteśmy odpowiedzialni za uszkodzenie produktu w twoim zamówieniu.
P: A co z czasem realizacji?
Odp .: Możemy wysłać części magazynowe w ciągu 5 dni roboczych. Jeśli nie ma zapasów, potwierdzimy czas realizacji na podstawie ilości zamówienia.