Układ scalony IMBG120R090M1H Tranzystory IGBT Trenchstop TO-263-8

Chip scalony IMBG120R090M1H Tranzystory IGBT Trenchstop TO-263-8

Opis produktu ZIMBG120R090M1H

IMBG120R090M1H to CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET, kanał N 1200 V 26 A, montaż powierzchniowy, opakowanie to TO-263-8, D²Pak (7 przewodów + zakładka).

SpecyfikacjaIMBG120R090M1H

CechyIMBG120R090M1H

• Napięcie od drenu do źródła (Vdss): 1200 V
• Prąd — ciągły drenaż (Id) @ 25°C: 26 A (Tc)
• Rds On (maks.) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 8,5 A, 18 V
• Vgs(th) (maks.) @ Id: 5,7 V @ 3,7 mA

Inne komponenty elektroniczne w magazynie

Często zadawane pytania

P: Czy twoje produkty są oryginalne?
Odp .: Tak, wszystkie produkty są oryginalne, naszym celem jest nowy oryginalny import.
P: Jakie masz certyfikaty?
Odp.: Jesteśmy firmą posiadającą certyfikat ISO 9001:2015 i członkiem ERAI.
P: Czy możesz wesprzeć małe zamówienie lub próbkę? Czy próbka jest bezpłatna?
Odp .: Tak, obsługujemy zamówienie próbki i małe zamówienie. Przykładowy koszt różni się w zależności od zamówienia lub projektu.
P: jak wysłać moje zamówienie?Czy to jest bezpieczne?
Odp.: do wysyłki używamy przesyłek ekspresowych, takich jak DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Możemy również skorzystać z sugerowanego spedytora. Produkty będą dobrze zapakowane i zapewnią bezpieczeństwo, a my jesteśmy odpowiedzialni za uszkodzenie produktu w twoim zamówieniu.
P: A co z czasem realizacji?
Odp .: Możemy wysłać części magazynowe w ciągu 5 dni roboczych. Jeśli nie ma zapasów, potwierdzimy czas realizacji na podstawie ilości zamówienia.