Węglik krzemu IMW120R090M1H N-kanałowe tranzystory MOSFET 1200 V TO-247-3

Karbid krzemowy IMW120R090M1H N-kanał 1200V MOSFETy Tranzystory TO-247-3

Opis produktuIMW120R090M1H

IMW120R090M1H to CoolSiCTM 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET, bardzo niskie straty przełączania.

SpecyfikacjaIMW120R090M1H

CechyIMW120R090M1H

• Niezależne od progu charakterystyki stanu
• Szeroki zakres napięcia źródła bramy
• Poziom napięcia progowego bramy odniesienia, VGS ((th) = 4,5 V
• 0V napięcie wyłączające dla łatwego i prostego napędu przez bramę
• Całkowicie kontrolowane dV/dt
• Robustna dioda korpusowa do twardych komutacji

Pozostałe elementy elektroniczne w magazynie

Częste pytania

P: Czy pańskie produkty są oryginalne?
A: Tak, wszystkie produkty są oryginalne, nowy oryginalny import jest naszym celem.
P: Jakie masz certyfikaty?
O: Jesteśmy firmą certyfikowaną zgodnie z normą ISO 9001:2015 i członkiem ERAI.
P: Czy wspieracie zamówienie w niewielkiej ilości lub próbkę?
O: Tak, wspieramy zamówienie próbki i małe zamówienie. Koszt próbki jest inny w zależności od zamówienia lub projektu.
P: Jak wysłać zamówienie?
Odp.: Używamy ekspresowej wysyłki, takiej jak DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Możemy również skorzystać z sugerowanego spedytorem.Produkty będą w dobrym opakowaniu i zapewnić bezpieczeństwo i jesteśmy odpowiedzialni za uszkodzenia produktu do zamówienia.
P: Co z czasem realizacji?
A: Możemy wysłać części na magazynie w ciągu 5 dni roboczych. Jeśli nie ma to na magazynie, potwierdzimy czas realizacji na podstawie ilości zamówienia.