1200 V SiC Trench MOSFET IMBG120R045M1H N-kanałowe tranzystory MOSFET TO-263-8

1200 V SiC Trench MOSFET IMBG120R045M1H N-kanałowe tranzystory MOSFET TO-263-8

Opis produktu ZIMBG120R045M1H

IMBG120R045M1H to CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET z technologią połączeń .XT.

SpecyfikacjaIMBG120R045M1H

Cechy IMBG120R045M1H

• Czas wytrzymałości na zwarcie 3 µs
• W pełni sterowalne dV/dt
• Wzorcowe napięcie progowe bramki, VGS(th) = 4,5V
• Odporny na pasożytnicze włączanie, można zastosować napięcie bramki wyłączającej 0 V
• Solidna dioda korpusowa do twardej komutacji

Inne komponenty elektroniczne w magazynie

Często zadawane pytania

P: Czy twoje produkty są oryginalne?
Odp .: Tak, wszystkie produkty są oryginalne, naszym celem jest nowy oryginalny import.
P: Jakie masz certyfikaty?
Odp.: Jesteśmy firmą posiadającą certyfikat ISO 9001:2015 i członkiem ERAI.
P: Czy możesz wesprzeć małe zamówienie lub próbkę? Czy próbka jest bezpłatna?
Odp .: Tak, obsługujemy zamówienie próbki i małe zamówienie. Przykładowy koszt różni się w zależności od zamówienia lub projektu.
P: jak wysłać moje zamówienie?Czy to jest bezpieczne?
Odp.: do wysyłki używamy przesyłek ekspresowych, takich jak DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Możemy również skorzystać z sugerowanego spedytora. Produkty będą dobrze zapakowane i zapewnią bezpieczeństwo, a my jesteśmy odpowiedzialni za uszkodzenie produktu w twoim zamówieniu.
P: A co z czasem realizacji?
Odp .: Możemy wysłać części magazynowe w ciągu 5 dni roboczych. Jeśli nie ma zapasów, potwierdzimy czas realizacji na podstawie ilości zamówienia.