TO-263-8 IMBG65R048M1H Tranzystory MOSFET z węglika krzemu 650 V SiC Trench Power

TO-263-8 IMBG65R048M1H Tranzystory MOSFET z węglika krzemu 650 V SiC Trench Power

Opis produktu ZIMBG65R048M1H

IMBG65R048M1H to urządzenie zasilające CoolSiC M1 SiC 650 V do montażu powierzchniowego.

SpecyfikacjaIMBG65R048M1H

Cechy IMBG65R048M1H

• Zoptymalizowane przełączanie przy wyższych prądach
• Wytrzymała, szybka dioda komutacyjna o niskim współczynniku Qf
• Doskonała niezawodność tlenku bramki
• Tj,max=175°C i doskonałe zachowanie termiczne

Inne komponenty elektroniczne w magazynie

Często zadawane pytania

P: Czy twoje produkty są oryginalne?
Odp .: Tak, wszystkie produkty są oryginalne, naszym celem jest nowy oryginalny import.
P: Jakie masz certyfikaty?
Odp.: Jesteśmy firmą posiadającą certyfikat ISO 9001:2015 i członkiem ERAI.
P: Czy możesz wesprzeć małe zamówienie lub próbkę? Czy próbka jest bezpłatna?
Odp .: Tak, obsługujemy zamówienie próbki i małe zamówienie. Przykładowy koszt różni się w zależności od zamówienia lub projektu.
P: jak wysłać moje zamówienie?Czy to jest bezpieczne?
Odp.: do wysyłki używamy przesyłek ekspresowych, takich jak DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Możemy również skorzystać z sugerowanego spedytora. Produkty będą dobrze zapakowane i zapewnią bezpieczeństwo, a my jesteśmy odpowiedzialni za uszkodzenie produktu w twoim zamówieniu.
P: A co z czasem realizacji?
Odp .: Możemy wysłać części magazynowe w ciągu 5 dni roboczych. Jeśli nie ma zapasów, potwierdzimy czas realizacji na podstawie ilości zamówienia.