2N-kanałowe wspólne źródło z węglika krzemu MSCSM70DUM07T3AG Moduł zasilania MOSFET 988W

Name: 2N-kanałowe wspólne źródło z węglika krzemu MSCSM70DUM07T3AG Moduł zasilania MOSFET 988W
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM70DUM07T3AG
Availability: InStock

Wszystkie produkty

Układ scalony układu scalonego
(18393)

BT IC
(524)

Samochodowe moduły IGBT
(1937)

Mikrokontroler MCU
(12420)

GaN IC
(51)

Chip procesora AI
(1169)

Programowalna przez użytkownika macierz bramek
(6582)

Układ scalony Ethernet
(938)

Złącza
(2853)

Układ scalony pamięci
(2435)

Układ scalony czujnika
(2168)

chip IoT
(232)

Moduł 5G
(132)

Wi-Fi 6 Chip
(138)

Iphone IC Chip
(55)

Moduł komunikacji bezprzewodowej
(3295)

Termostat regulatora temperatury
(8)

Najlepsze produkty

Średniej mocy Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 Podwójne trójfazowe moduły PIM IGBT

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3-fazowy moduł IGBT 950V 70A Energia fotowoltaiczna

Moduły samochodowe IGBT FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A Podwójny moduł IGBT

Orzecznictwo

Chiny ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certyfikaty

Opinie klientów

Wysłane bardzo szybko i było bardzo pomocne, nowe i oryginalne, gorąco polecam.

—— Nishikawa z Japonii

Profesjonalna i szybka obsługa, akceptowalne ceny towarów.doskonały kontakt, produkt zgodny z oczekiwaniami.Bardzo polecam tego dostawcę.

—— Luis z Stanów Zjednoczonych

Wysoka jakość i niezawodna wydajność: "Komponenty elektroniczne, które otrzymaliśmy od [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] są wysokiej jakości i wykazały niezawodną wydajność naszych urządzeń".

—— Richard z Niemiec

Konkurencyjne ceny: ceny oferowane przez jest bardzo konkurencyjny, co czyni go doskonałym wyborem dla naszych potrzeb zamówień.

—— Tim z Malezji

Usługa dla klientów jest doskonała, zawsze odpowiedzialna i pomocna.

—— Vincent z Rosji

Świetne ceny, szybka dostawa i najlepsza obsługa klienta.

—— Nishikawa z Japonii

Niezawodne komponenty, szybka wysyłka i doskonałe wsparcie.

—— Sam z Stanów Zjednoczonych

Wysokiej jakości części i bezproblemowy proces zamawiania.

—— Lina z Niemiec

Im Online Czat teraz

2N-kanałowe wspólne źródło z węglika krzemu MSCSM70DUM07T3AG Moduł zasilania MOSFET 988W

Duży Obraz : 2N-kanałowe wspólne źródło z węglika krzemu MSCSM70DUM07T3AG Moduł zasilania MOSFET 988W

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia:	CN
Nazwa handlowa:	Original Factory
Orzecznictwo:	Lead free / RoHS Compliant
Numer modelu:	MSCSM70DUM07T3AG

Zapłata:

Minimalne zamówienie:	10
Cena:	Contact for Sample
Szczegóły pakowania:	Moduł
Czas dostawy:	5-8 dni roboczych
Zasady płatności:	T/T, L/C, Western Union

Kontakt

2N-kanałowe wspólne źródło z węglika krzemu MSCSM70DUM07T3AG Moduł zasilania MOSFET 988W

Opis

Numer części:	MSCSM70DUM07T3AG	Moc — maks:	988W (Tc)
temperatura robocza:	-40°C ~ 175°C (TJ)	Typ mocowania:	Mocowanie podwozia
Opakowanie / Sprawa:	Moduł	Pakiet urządzeń dostawcy:	SP3F

2N-kanałowe wspólne źródło z węglika krzemu MSCSM70DUM07T3AG MOSFET Moduł zasilania 988W

Opis produktu ZMSCSM70DUM07T3AG

MSCSM70DUM07T3AG to moduł zasilania MOSFET z podwójnym wspólnym źródłem 700 V/353 A z węglika krzemu (SiC).

SpecyfikacjaMSCSM70DUM07T3AG

Numer części	MSCSM70DUM07T3AG
Technologia	Węglik krzemu (SiC)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne) Wspólne źródło
Napięcie od drenu do źródła (Vdss)	700 V
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C	353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6,4 mOhm przy 120 A, 20 V
Vgs(th) (Maks.) @ Id	2,4 V przy 12 mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs	645nC @ 20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds	13500 pF przy 700 V

Schemat elektrycznyMSCSM70DUM07T3AG

2N-kanałowe wspólne źródło z węglika krzemu MSCSM70DUM07T3AG Moduł zasilania MOSFET 988W 0

Inne typy produktów zaopatrzeniowych

Numer części	Pakiet
AXA463061P	SMD
ZXGD3105N8TC	SPO-8
FMS6502MTC24X	TSSOP24
LTC3547BEDDB	DFN-8
IW1788-46	SOP8
ACPL-M61T	SOP5

Często zadawane pytania

P: Czy twoje produkty są oryginalne?
Odp .: Tak, wszystkie produkty są oryginalne, naszym celem jest nowy oryginalny import.
P: Jakie masz certyfikaty?
Odp.: Jesteśmy firmą posiadającą certyfikat ISO 9001:2015 i członkiem ERAI.
P: Czy możesz wesprzeć małe zamówienie lub próbkę? Czy próbka jest bezpłatna?
Odp .: Tak, obsługujemy zamówienie próbki i małe zamówienie. Przykładowy koszt różni się w zależności od zamówienia lub projektu.
P: jak wysłać moje zamówienie?Czy to jest bezpieczne?
Odp.: do wysyłki używamy przesyłek ekspresowych, takich jak DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Możemy również skorzystać z sugerowanego spedytora. Produkty będą dobrze zapakowane i zapewnią bezpieczeństwo, a my jesteśmy odpowiedzialni za uszkodzenie produktu w twoim zamówieniu.
P: A co z czasem realizacji?
Odp .: Możemy wysłać części magazynowe w ciągu 5 dni roboczych. Jeśli nie ma zapasów, potwierdzimy czas realizacji na podstawie ilości zamówienia.

Etykietka:

Osoba kontaktowa: Sales Manager

Tel: 86-13410018555

Faks: 86-0755-83957753

Inne produkty

Samochodowe moduły IGBT 400A Moduł Sic Mosfet 1200 V FS03MR12A6MA1LBBPSA1

Napięcie dren-źródło (Vdss): 1200V (1,2kV)

Prąd — Ciągły drenaż (Id) przy 25°C: 400A

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3,7mOhm @ 400A, 15V

Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 240mA

950V 400A Samochodowe moduły IGBT 3-poziomowy moduł IGBT F3L400R10W3S7B11BPSA1

Numer części: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Typ IGBT: Rów

Status produktu: Aktywny

Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.): 950 V

F3L600R10W4S7FC22BPSA1 Moduł IGBT 950V 310A Zatrzymanie pola do rowu

Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.): 950 V

Prąd — kolektor (Ic) (maks.): 310 A

Moc — maks.: 20 mW

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2,25 V @ 15 V, 400 A

Moduły zasilania z węglika krzemu HEV 1200V 200A Moduły samochodowe FS05MR12A6MA1BBPSA1

Funkcja FET: Węglik krzemu (SiC)

Napięcie od drenu do źródła (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C: 200A

Rodzaj montażu: Mocowanie podwozia

Moduły samochodowe IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Półmostkowy moduł IGBT

Numer części: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.): 750 V

Prąd - kolektor (Ic) (maks.): 200 A

Moc — maks: 20 mW

2N-kanałowe wspólne źródło z węglika krzemu MSCSM70DUM07T3AG Moduł zasilania MOSFET 988W

Układ scalony układu scalonego

BT IC

Samochodowe moduły IGBT

Mikrokontroler MCU

GaN IC

Chip procesora AI

Programowalna przez użytkownika macierz bramek

Układ scalony Ethernet

Złącza

Układ scalony pamięci

Układ scalony czujnika

chip IoT

Moduł 5G

Wi-Fi 6 Chip

Iphone IC Chip

Moduł komunikacji bezprzewodowej

Termostat regulatora temperatury

Średniej mocy Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 Podwójne trójfazowe moduły PIM IGBT

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3-fazowy moduł IGBT 950V 70A Energia fotowoltaiczna

Moduły samochodowe IGBT FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A Podwójny moduł IGBT

2N-kanałowe wspólne źródło z węglika krzemu MSCSM70DUM07T3AG Moduł zasilania MOSFET 988W

2N-kanałowe wspólne źródło z węglika krzemu MSCSM70DUM07T3AG Moduł zasilania MOSFET 988W

Samochodowe moduły IGBT 400A,

FS380R12A6T4BBPSA1 Moduł zasilania Igbt,

moduł proszkowy IGBT 1200V

Samochodowe moduły IGBT 400A Moduł Sic Mosfet 1200 V FS03MR12A6MA1LBBPSA1

950V 400A Samochodowe moduły IGBT 3-poziomowy moduł IGBT F3L400R10W3S7B11BPSA1

F3L600R10W4S7FC22BPSA1 Moduł IGBT 950V 310A Zatrzymanie pola do rowu

Moduły zasilania z węglika krzemu HEV 1200V 200A Moduły samochodowe FS05MR12A6MA1BBPSA1

Moduły samochodowe IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Półmostkowy moduł IGBT

Układ scalony układu scalonego

VN7008AJTR Układ scalony, sterownik wysokiej strony 96A, przełączniki wysokiej strony PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrated Circuit Chip iCMOSTM Switch 4,7 Ohm Przemysłowe przełączniki CMOS Analogiczne

LT6700CS6-1 układ zintegrowany chip mikroenergetyczny niskiego napięcia podwójny porównywarka z 400mV odniesienia

Układ scalony Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-przewód 6-port PCI Express Gen 2 Przełącznik PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-przewodowy 16-port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY nadajniki